返回对话
成果
500 万元
高能效碳化硅功率器件制备技术
研究机构：中科院上海微系统与信息技术研究所
关键信息
技术领域
集成电路
地域
上海
技术成熟度(TRL)
7
价格
500 万元
转化方式
转让
交易方式
挂牌转让
技术简介
面向新能源汽车与光伏逆变的高可靠性 SiC MOSFET 器件，突破外延生长与栅极工艺瓶颈，降低导通损耗 30%。
技术关键词
碳化硅
功率器件
芯片
半导体
商业计划书
供给方暂未上传商业计划书